ESD (靜電放電) 抑制解決方案

人們越來越關(guān)注靜電放電 (ESD) 對電子產(chǎn)品可靠性的影響。在集成電路芯片加工廠以及電路板封裝廠等地方，靜電放電會威脅到產(chǎn)品的長期功能性。

在加工廠和電路板封裝環(huán)境下，通常使用兩個基本策略。首先，ESD保護結(jié)構(gòu)設(shè)計到了集成電路中。其次，通過工作場所的一些特殊措施來進一步增強對靜電放電的耐受性，如防靜電服裝或者改進環(huán)境(濕度/電離控制)。正確實施這些措施后，可以確保在“人體模型”(HBM)、“設(shè)備模型” (MM) 和“帶電設(shè)備模型” (CDM)類型的靜電放電事件中獲得較高的成品率。

但是不能保證能夠經(jīng)受 HBM/MM/CDM 事件的電路一定能夠經(jīng)受現(xiàn)實環(huán)境中的靜電放電事件，結(jié)論要視產(chǎn)品(PDA、計算機、手機等) 的情況而定。由用戶產(chǎn)生的靜電放電事件，如 IEC 61000-4-2測試規(guī)格中提出的那些事件，其嚴重程度遠遠超出為加工廠/封裝環(huán)境所規(guī)定的指標。由于電壓和電流應(yīng)力大大增強，由用戶產(chǎn)生的靜電放電事件可能會導(dǎo)致集成電路的電子故障，甚至完全毀壞。為了增強集成電路對用戶產(chǎn)生的靜電放電的耐受力，我們通常會使用抑制產(chǎn)品。這些設(shè)備完善了集成電路的板載抗靜電能力，從而使產(chǎn)品在暴露于嚴重的靜電放電事件后仍能夠可靠工作。

為了幫助電路設(shè)計者找到與電路特性匹配的較佳抑制解決方案，Littelfuse提供了多種靜電放電抑制產(chǎn)品，包括陶瓷、硅和聚合物技術(shù)。由于每種應(yīng)用方式和電路都是各不相同的，因此沒有一種瞬變電壓抑制技術(shù)能夠解決所有問題。需要考慮的一些重要的瞬變電壓抑制器特性(根據(jù)使用的不同技術(shù)而定) 包括電容、漏瀉電流、鉗位電壓和封裝外形。

此外，Littelfuse提出，對于設(shè)計者來說許多應(yīng)用方式存在嚴重的電路板空間限制問題。為了將分布式無源元件和電路板空間的使用范圍降至較小，我們引入了集成式無源設(shè)備(IPD) 系列。SPUSB1 系列將靜電放電保護、端接和線式電阻器以及電磁干擾 (EMI)電容器集成到一個合理利用空間的部件中。該產(chǎn)品專用于 USB 1.1總線中，可保護外設(shè)(PDA、打印機、數(shù)碼相機等等)中的上流埠。它通常不可用于主機設(shè)備中，如臺式機和筆記本電腦。

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