靜電放電可能造成器件硬擊穿或軟擊穿。硬擊穿是一次性造成器件的失效，如器件的輸出與輸入開路或短路。軟擊穿則可使器件的性能劣化，并使其指標參數(shù)降低而造成故障隱患。由于軟擊穿可使電路時好時壞（指標參數(shù)降低所致），且不易被發(fā)現(xiàn)，給整機運行和查找故障造成麻煩。軟擊穿時裝備仍能帶"病"工作，性能未發(fā)生根本變化，很可能通過出廠檢驗，但隨時可能造成再次失效。多次軟擊穿就能造成硬擊穿，使電子裝備運行不正常。

所謂硬擊穿是一次性造成芯片內(nèi)熱,二次擊穿,金屬噴鍵熔融,介質(zhì)擊穿,表面擊穿和體擊穿等使集成電路徹底損壞失效.當靜電放電能量達到一定值時,足以引起塑封集成電路的爆炸,使其芯片完全燒毀和裸露,造成對人身傷害,設(shè)備故障耗費增加.硬擊穿特征明顯一般來說可以在器件組裝件或插件板出廠交貨之前檢查出來.

軟擊穿(軟失效)是造成器件的性能劣化或參數(shù)指標下降,但還沒有完全損壞而形成隱患.在后工序質(zhì)量檢驗中很難被發(fā)現(xiàn).在使用時,靜電造成的電路潛在損傷會使其參數(shù)變化,品質(zhì)劣化,壽命降低,使設(shè)備運行一段時間后隨溫度時間電壓的變化出現(xiàn)各種故障不能正常工作即軟失效.如果受損的芯片屬于一些重要的控制系統(tǒng)如網(wǎng)絡(luò)中心控制系統(tǒng),自動播出控制系統(tǒng),生產(chǎn)調(diào)度控制中心,電子作戰(zhàn)指揮系統(tǒng),自動導(dǎo)航系統(tǒng),火箭發(fā)射控制系統(tǒng)等,其造成的危害有時是難以預(yù)料的.這潛在的損傷實際上具有更大危害,造成的直接和間接損失更為嚴重.軟擊穿不易察覺,具有潛在隱蔽的特點危害更大.

防靜電主要是防止靜電放電。控制靜電放電要從控制靜電的產(chǎn)生和控制靜電的消除兩方面入手。控制靜電的產(chǎn)生主要是控制工藝過程和工藝過程中材料的選擇；控制靜電的消除主要是加速靜電的泄露和中和。這兩點共同作用才能使靜電電壓不超過可靠閾值，以達到靜電防護的目的。

1.靜電的消除：

①對有可能產(chǎn)生靜電的地方要防止靜電荷的聚集。即采取一定的措施避免或減少靜電放電的產(chǎn)生。可采用邊產(chǎn)生邊泄露的辦法達到消除電荷聚集的目的。

②對已存在的電荷積聚，應(yīng)迅速地消除掉。當絕緣物體帶電時，電荷不能流動，無法進行泄漏，可利用靜電消除器產(chǎn)生異性離子來中和靜電荷。當帶電的物體是導(dǎo)體時，則采用簡單的接地泄露辦法，使其所帶電荷完全消除。要構(gòu)成一個完整的靜電可靠工作區(qū)，至少應(yīng)包括有效的靜電臺墊、專用地線和防靜電腕帶等。

2.靜電的控制：靜電的控制技術(shù)是在靜電電荷積聚不可避免的情況下，采取綜合措施將靜電危害控制在允許的范圍內(nèi)。

①工藝控制法　目的是在生產(chǎn)過程中盡量少地產(chǎn)生靜電荷。對工藝流程中材料的選擇、裝備安裝和操作管理等過程應(yīng)采取預(yù)防措施，控制靜電的產(chǎn)生和電荷的聚集，抑制靜電電位和放電能量，使危害降到較小程度。

②泄露法　目的是使靜電荷通過泄露達到消除。一般采用靜電接地使電荷向大地泄露，通常利用增大物體電導(dǎo)的方法使靜電泄露。

③靜電屏蔽法　采用接地的屏蔽罩把帶電體與其它物體隔離開，這樣帶電體的電場將不影響周圍其它物體，這種屏蔽方法叫內(nèi)場屏蔽。有時也用接地的屏蔽罩把被隔離物體包圍起來使被隔離物免受外界電場的影響，這種屏蔽方法叫外場屏蔽。

④復(fù)合中和法及其它　通過復(fù)合中和法來達到靜電荷的消除。通常用靜電消除器產(chǎn)生的異性離子來中和帶電體的電荷，并有可能使帶電物體表面光滑以及周圍環(huán)境更加清潔，從而減少尖   端放電的可能性。